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具有Pt扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性
作者姓名:刘丹丹  王勇  叶镇  高占琦  张屿  王晓华
作者单位:长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022
基金项目:国家自然科学基金资助项目(11474036)
摘    要:针对传统n-GaAs的Au/AuGe/Ni欧姆接触合金系统的缺点,提出了添加Pt扩散阻挡层的新型欧姆接触合金系统。扫描电子显微镜(SEM)和微束分析(EDS)测试显示,添加Pt扩散阻挡层的合金系统比没有Pt扩散阻挡层的合金系统的表面更加光滑,粗糙度降低。矩形传输模型(RTLM)测试显示,添加Pt阻挡层的比接触电阻率均匀性为85%,最低比接触电阻率为4.25×10-6Ω·cm2;而未添加Pt阻挡层的比接触电阻率均匀性为12%,最低比接触电阻率为3.86×10-6Ω·cm2,表明Pt扩散阻挡层的添加能够增加n-GaAs欧姆接触的重复性和均匀性,提高器件在使用过程中的热稳定性和可靠性。

关 键 词:n型GaAs  欧姆接触  扩散阻挡层  Au/AuGe/Ni  比接触电阻率
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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