具有Pt扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性 |
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作者姓名: | 刘丹丹 王勇 叶镇 高占琦 张屿 王晓华 |
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作者单位: | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(11474036) |
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摘 要: | 针对传统n-GaAs的Au/AuGe/Ni欧姆接触合金系统的缺点,提出了添加Pt扩散阻挡层的新型欧姆接触合金系统。扫描电子显微镜(SEM)和微束分析(EDS)测试显示,添加Pt扩散阻挡层的合金系统比没有Pt扩散阻挡层的合金系统的表面更加光滑,粗糙度降低。矩形传输模型(RTLM)测试显示,添加Pt阻挡层的比接触电阻率均匀性为85%,最低比接触电阻率为4.25×10-6Ω·cm2;而未添加Pt阻挡层的比接触电阻率均匀性为12%,最低比接触电阻率为3.86×10-6Ω·cm2,表明Pt扩散阻挡层的添加能够增加n-GaAs欧姆接触的重复性和均匀性,提高器件在使用过程中的热稳定性和可靠性。
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关 键 词: | n型GaAs 欧姆接触 扩散阻挡层 Au/AuGe/Ni 比接触电阻率 |
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