|
|||||
|
|
| 低熔点三苯二炔类液晶合成及高频介电性能 | |
| 作者姓名： | 兰庚 宋垚 王新杰 谌永强 张智勇 汪相如 吴胜莉 |
| 作者单位： | 1. 武汉轻工大学化学与环境工程学院;2. 电子科技大学光电科学与工程学院 |
| 基金项目： | 国家装发部预研基金（No.61409230701）;;广东省重点领域研发计划（No.2019B010158001）~~; |
| 摘 要： | 液晶微波通信器件所用的液晶材料都是高双折射率(Δn)液晶化合物组合而成,这些化合物的熔点大多较高,使得液晶组合物的低温共熔点较高,不利于微波通信器件的发展。本文合成了8种侧乙基三苯二炔类液晶化合物,将其按照一定的比例配置成低温共熔点在-46℃的液晶组合物MA,并以此为液晶母体,将其与另外几种液晶混合,采用矩形谐振腔微扰法测试液晶组合物在微波频段(11～35 GHz)的介电性能,得到了在18 GHz时的介电常数值(Δεr)为0.954,最大介电损耗(tanδεr max)为0.008 6,可满足微波用低熔点液晶材料的性能要求。 |
| 关 键 词： | 三苯二炔类液晶 低熔点 高双折射 合成 高频介电性能 |