在微波激发的O_2+N_2混合等离子体中实现Al/Si的氧化

蒸发在 Si 上的 Al 薄膜,在微波激发的 O_2+H_2混合等离子体和 O_2+N_2混合等离子体中实现了氧化。添加的 H_2或 N_2在其中起催化作用。在 Ar 离子溅射的情况下,用离子微分析(IMA)和 X 射线光电子分光(XPS)方法,分析了各元素随深度的组成变化和膜的化学结构。在 O_2+N_2混合等离子体中,观测到界面上有明显界面氧化层,但在 O_2+H_2混合等离子体中,没有发现内部 SiO_2层。为了解释这些实验现象,提出了一种氧化过程的假定方式,这种方式考虑了电负性。