国际半导体技术财团认真研发各种新材料

正在研发的新材料将提升硅晶体管工艺：提高工作速度、降低功耗，改善散热能力和增添RF(射频)／模拟功能而保持CMOS工艺的大规模集成能力。开发新材料连同传统的CMOS器件特征尺寸不断减小，实质上是要维持CMOS工艺按发展规划所定目标发展。为此，2003ITRS(国际半导体工艺发展指南)原材料工作组成立了一个旨在开发(另外)的新衬底材料的研究组。该研究组的目的是为(半导体工)业界在新颖材料结构和加工工艺方面提供指导，以增强硅基CMOS工艺并使其满足指南中预定的特征尺寸不断缩小的要求。只要把CMOS工艺改进作为最终目标，Si原材料的(性能)增强并非完全限于Si基材料。例如，在Si衬底上进行Ⅲ—Ⅴ族化合物光电子器件集成(它可增加输入／输出带宽，而CMOS在这方面受到限制)也是研究组的研究课题之一。