| 基于N型工艺的基准电压源设计 |
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| 引用本文： | 李仲秋.基于N型工艺的基准电压源设计[J].电子设计工程,2011,19(15):183-185,192. |
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| 作者姓名： | 李仲秋 |
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| 作者单位： | 空军航空维修技术学院,湖南长沙,410014 |
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| 基金项目： | 湖南省教育厅资助科研项目 |
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| 摘 要： | 针对传统互补型带隙基准电压源在只有N型有源器件工艺中的局限性,采用运放反馈的闭环控制方法来产生基准电压,设计了一种可以集成于只有N型有源器件和无源元件工艺中的基准电压源产生电路。为只存在N型MOS或者NPN型晶体管、没有P型器件、难以用传统的带隙电压源结构来产生精确参考电压的特定工艺,提供了一种具有良好的电源抑制比特性和有效地补偿N型器件结压降变化的负温度系数的基准电压源电路;并提出了提高反馈回路稳定性的措施。
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| 关 键 词： | 基准电压源 N型晶体管 电源抑制比 温度系数 |
Design of benchmark voltage source based on single N-type process |
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| LI Zhong-qiu.Design of benchmark voltage source based on single N-type process[J].Electronic Design Engineering,2011,19(15):183-185,192. |
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| Authors: | LI Zhong-qiu |
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| Affiliation: | LI Zhong-qiu(The Air Force Aviation Maintenance Technology Institute,Changsha 410014,China) |
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| Abstract: | A kind of generating benchmark voltage circuit is designed integrating with only n-type active device and passive components process by using op-amp of the feedback closed-loop control method to generate benchmark voltage based on the traditional compleme |
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| Keywords: | benchmark voltage source n-transistor power supply rejection ratio temperature coefficient |
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