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| 电喷硅溶胶衬垫制备4π薄膜源 | |
| 引用本文： | 种培基 ,贺先运.电喷硅溶胶衬垫制备4π薄膜源[J].原子能科学技术,1980(1). |
| 作者姓名： | 种培基 贺先运 |
| 摘 要： | 前言为了制备4πβ-γ绝对测量用的薄膜源,许多科学工作者在金属化的VYNS膜上制备一个亲水性好、能使放射性离子均匀分布、自吸收小的源衬垫方面做了很多工作。胰岛素,抗静电剂,硅胶,聚四氟乙烯粉或真空喷镀一氧化硅,都曾被选用作为源衬垫材料。1973年洛温撤尔(G.C.Lowenthal)等人采用双针头高压电喷阴、阳离子交换树脂悬浮液,制备了β计数效率高,重现性好的4π薄膜源。我们采用低压单针头电喷 |
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