| GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应(英文) |
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| 引用本文： | 向贤碧,杜文会,廖显伯,常秀兰. GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应(英文)[J]. 半导体学报, 2001, 22(6): 710-714 |
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| 作者姓名： | 向贤碧 杜文会 廖显伯 常秀兰 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083(向贤碧，杜文会，常秀兰)，中国科学院半导体研究所表面物理国家实验室!北京100083(廖显伯) |
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| 摘 要： | 对 Al Ga As/Ga As太阳电池进行了质子辐照和热退火实验 .质子辐照的能量为 32 5 ke V,辐照的剂量为 5×10 1 0— 1× 10 1 3cm- 2 .实验结果表明 ,质子辐照造成了 Ga As太阳电池光伏性能的退化 ,其中短路电流的退化比其它参数的退化更为明显 .退火实验结果表明 ,2 0 0℃的低温退火可以使得辐照后的电池的光伏性能得以部分恢复 .此外 ,实验结果还指出 ,在 Ga As太阳电池表面加盖一层 0 .5 mm的硼硅玻璃盖片可以明显地减少质子辐照对 Ga As太阳电池性能的损伤
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| 关 键 词： | 质子辐照 热退火 太阳电池 |
Proton Irradiation and Thermal Annealing of GaAs Solar Cells |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | proton irradiation thermal annealing solor cell |
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