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| Si3N4薄膜的DC—PCVD沉积工艺及结构 | |
| 引用本文： | 吴大兴,周海.Si3N4薄膜的DC—PCVD沉积工艺及结构[J].真空,1992(3):15-21,8. |
| 作者姓名： | 吴大兴 周海 |
| 作者单位： | 西南交通大学 成都市610031 (吴大兴，周海，杨川)，西南交通大学 成都市610031(高国庆) |
| 摘 要： | 用不附加另外电源的ＤＣ－ＰＣＶＤ装置沉积Ｓｉ３Ｎ４薄膜，，ＸＲＤ ＴＥＭ检查出这种Ｓｉ３Ｎ４是非晶态、ＩＲ，ＡＥＳ验证这种薄膜的主要成分是Ｓｉ３Ｎ４、ＴＥＭ与ＯＭ研究 薄膜组织结构。 |
| 关 键 词： | 非晶态 沉积 薄膜 氮化硅 半导体 |
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