| 高激发功率GaP：N发光谱的影响 |
| |
| 引用本文： | 康秀英,杨锡霞,等.高激发功率GaP：N发光谱的影响[J].液晶与显示,2001,16(1):44-47. |
| |
| 作者姓名： | 康秀英 杨锡霞 |
| |
| 作者单位： | 康秀英（北京师范大学 分析测试中心，
北京 100875 E-mail: kangxiuying@263.net）
杨锡震（北京师范大学 分析测试中心， 北京 100875 E-mail:
kangxiuying@263.net）
王亚非（北京师范大学 分析测试中心， 北京 100875 E-mail:
kangxiuying@263.net）
王幼林（北京师范大学 分析测试中心， 北京 100875 E-mail:
kangxiuying@263.net） |
| |
| 摘 要： | 讨论了掺氮磷化镓（GaP:N）荧光光谱的峰值强度（孤立氮等电子中心束缚激子发光峰A、最邻近N－N对束缚激子发光峰NH1和次邻近N－N对束缚激子发光峰NN3）随激发强度的变化规律，并在发光跃迁动力学方程中计入了由于高激发密度引起的样品温度升高，而导致孤立氮A的能级NA和最邻近N－N对NH1的能级的热激发的增强，得到了R（即最近N-N对（NH1）束缚激子发光峰与孤立N等电子中心束缚激子发光峰的强度比INN1／IA）与掺N浓度和激光发光强的变化关系。利用实验数据进行拟合，得到了更好的拟合结果，并讨论了用此法计算GaP:N样品中氮浓度时应注意的一些问题。
|
| 关 键 词： | 掺氮磷化嫁 荧光光谱 拟合 激发光强 峰值强度 |
| 文章编号： | 1007-2780(2001)01-0044-04 |
| 修稿时间： | 2000年11月23 |
Influence of High
Excitation Intensity on GaP |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
