Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET荣获《电子技术应用》杂志“中国优秀电子产品”奖

宾夕法尼亚、MALVERN Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布,其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET荣获专业媒体《电子技术应用》（AET）的＂中国优秀电子产品＂奖。在采用SO-8或PowerPAK SO-8封装的60V器件中,SiR662DP 60 V N沟道功率MOSFET具有业内最低的导通电阻,以及60 V器件中最低的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数（FOM）。