利用剩余电阻率比值法检测高纯铝纯度

0引言 在半导体器件所要求高纯基础材料及对低温下金属材料电子特性的研究推动下，材料技术得到快速发展。传统的分析方法（如重量法、光谱法等）已经不能准确的检测出当前高纯材料中微量杂质的浓度。在新的时期出现两种检测杂质的方法，一种是放射性追踪法，另一种是剩余电阻率比值法。