| 一种新型的nA量级CMOS基准电流源 |
| |
| 引用本文： | 马寒玉,马成炎. 一种新型的nA量级CMOS基准电流源[J]. 电子技术应用, 2013, 39(3): 37-39 |
| |
| 作者姓名： | 马寒玉 马成炎 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
2. 中国科学院微电子研究所,北京100029;杭州中科微电子有限公司,浙江杭州310053;嘉兴联星微电子有限公司,浙江嘉兴314000 |
| |
| 摘 要： | 设计了一种新型的、不随电源电压变化的、温度系数很小的nA量级CMOS基准电流源,并分析了该电路的工作原理。该基准电流源不需要使用电阻,大大节省了芯片的面积。基于TSMC 0.18μmCMOS厚栅工艺,使用Spectre对电路进行了仿真。仿真结果表明,在输出基准电流为46 nA的情况下,该电路的温度系数为24.33 ppm/℃,输出电流变化率仅为0.028 9%/V,电源抑制比(PSRR)最高可达-85 dB,电路消耗的电流小于200 nA。
|
| 关 键 词： | 电流基准 温度系数 电源抑制比 |
Design of a nanoampere CMOS current reference |
| |
| Ma Hanyu , Ma Chengyan. Design of a nanoampere CMOS current reference[J]. Application of Electronic Technique, 2013, 39(3): 37-39 |
| |
| Authors: | Ma Hanyu Ma Chengyan |
| |
| Abstract: | A novel nanoampere current reference source without resistance is designed and analysised which owns small temperature coefficient and is hardly dependent on supply voltage.Based on TSMC 0.18 μm CMOS process,the spectre simulation shows that the current reference has a temperature coefficient of 24.33 ppm/℃,a supply variation rate of 0.028 9%/V and a highest PSRR of-85 dB with a 46 nA output current.The total current consumption is less than 200 nA. |
| |
| Keywords: | current reference temperature coefficient PSRR |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
