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磷吸杂工艺研究
引用本文:唐穗生.磷吸杂工艺研究[J].电子元器件应用,2007,9(5):79-80.
作者姓名:唐穗生
作者单位:汕头华汕电子器件有限公司,广东汕头515041
摘    要:磷吸杂在晶体管芯片制造过程中对改善芯片表面态、减少漏电流等起着重要作用.文中确定了方块电阻为6-8Ω/□(欧姆/方块)的磷吸杂工艺条件,并对过程的相关影响因素进行分析和探讨,同时提出了解决方法.

关 键 词:磷吸杂  晶体管  芯片制造  工艺
收稿时间:2007-04-17
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