| 一个新的pMOSFET栅电流退化模型 |
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| 引用本文： | 张进城,郝跃,朱志炜,刘海波.一个新的pMOSFET栅电流退化模型[J].半导体学报,2001,22(10):1315-1319. |
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| 作者姓名： | 张进城 郝跃 朱志炜 刘海波 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所，西安710071 |
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| 基金项目： | 国防预研基金;8.5.3.4; |
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| 摘 要： | 研究了最大栅电流应力 (即 p MOSFET最坏退化情况 )下 p MOSFET栅电流的退化特性 .实验发现 ,在最大栅电流应力下 ,p MOSFET栅电流随应力时间会发生很大下降 ,而且在应力初期和应力末期栅电流的下降规律均会偏离公认的指数规律 .给出了所有这些现象的详细物理解释 ,并在此基础上提出了一种新的用于 p MOSFET寿命评估的栅电流退化模型
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| 关 键 词： | pMOSFET 热载流子退化 栅电流退化模型 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)10-1315-05 |
| 修稿时间： | 2000年12月1日 |
A New Degradation Model of Gate Current of pMOSFET |
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| ZHANG Jin cheng,HAO Yue,ZHU Zhi wei and LIU Hai bo.A New Degradation Model of Gate Current of pMOSFET[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(10):1315-1319. |
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| Authors: | ZHANG Jin cheng HAO Yue ZHU Zhi wei and LIU Hai bo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | pMOSFET hot carrier induced degradation the degradation model of gate current |
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