| 衬底温度对Al2O3(0001)表面外延6H-SiC薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 刘忠良,康朝阳,唐军,徐彭寿.衬底温度对Al2O3(0001)表面外延6H-SiC薄膜的影响[J].硅酸盐学报,2011,39(2):306-311. |
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| 作者姓名： | 刘忠良 康朝阳 唐军 徐彭寿 |
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| 作者单位： | 1. 淮北师范大学物理与电子信息学院,安徽,淮北,235000;中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029
2. 中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029 |
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| 基金项目： | 安徽省自然科学基金(11040606M64); 国家自然科学基金(50872128); 安徽省高等学校省级自然科学研究(KJ2010B189)资助项目 |
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| 摘 要： | 采用固源分子束外延技术,以α-Al2O3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6H-SiC薄膜.利用反射式高能电子衍射,原子力显微镜、X射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进行了表征.结果表明:在衬底温度为1100℃时生长的薄膜质量较好,在较低温度(1000℃)和较高温度(1200℃)条件下生长的薄膜质量较差.同时发...
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| 关 键 词： | 碳化硅薄膜 蓝宝石衬底 固源分子束外延 |
Effect of Substrate Temperature on the Growth of 6H-SiC Thin Films on Al2O3 (0001) Surface |
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| LIU Zhongliang,KANG Chaoyang,TANG Jun,XU Pengshou.Effect of Substrate Temperature on the Growth of 6H-SiC Thin Films on Al2O3 (0001) Surface[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2011,39(2):306-311. |
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| Authors: | LIU Zhongliang KANG Chaoyang TANG Jun XU Pengshou |
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| Affiliation: | LIU Zhongliang1,2,KANG Chaoyang2,TANG Jun2,XU Pengshou2(1.School of Physics and Electronic Information,Huaibei Normal University,Huaibei 235000,Anhui,2.National Synchrotron Radiation Laboratory,University of Science and Technology of China,Hefei 230029,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide film sapphire substrate solid-source molecular beam epitaxy |
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