砷化镓单晶生长技术

NEC 公司发展了一种高质量砷化镓单晶生长技术。原有技术把铟加入砷化镓中消除位错,但铟也能够引起晶体线缺陷。NEC 的新技术减少了铟的数量,并把沿着晶体生长轴的温度梯度从1/3减到1/4。通过模拟、冷却条件控制和热畸变消除可得到最佳晶型。位错被减小到10—20/cm~2。阈值电压分散性在小范围内为8mV,在晶片全表面为20mV。有可能生产出3英吋的晶片。