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欧洲首次在200mm硅晶圆上生长出高质量的AIGaN/GaN异质结构
摘    要:欧洲独立纳米电子研究中心IMEC与MOCVD设备供应商AIXTRON公司日前宣布,首次在200mm硅晶圆上成功生长出高质量高均匀性的AlGaN/GaN异质结构。 A1GaN/GaN异质结构在AIXTRON应用实验室中的300mm CRIUS MOCVD设备中生长得到,

关 键 词:AlGaN/GaN异质结构  AIGaN/GaN  硅晶圆  生长  质量  欧洲  MOCVD设备  设备供应商
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