| 气态源分子束外延1.3μm VCSEL器件结构 |
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| 引用本文： | 刘成,吴惠桢,劳燕锋,黄占超,曹萌.气态源分子束外延1.3μm VCSEL器件结构[J].功能材料与器件学报,2005,11(2):173-177. |
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| 作者姓名： | 刘成 吴惠桢 劳燕锋 黄占超 曹萌 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 973项目(No.2003CB314903) |
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| 摘 要： | 采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP／InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP／InGaAsP分布布拉格反射镜(DBR)为上、下腔镜的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构。通过湿法刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作出了1．3μ VCSEL，器件在室温下可连续单模激射，阈值电流约为4mA。实验测得的VCSEL结构反射光谱包括高反射带和腔模等参数与传递矩阵法拟合的反射光谱相符合；边发射电致发光谱的增益峰与腔模位置一致。
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| 关 键 词： | 垂直腔面发射激光器 气态源分子束外延 光电特性 |
| 文章编号： | 1007-4252(2005)02-0173-04 |
| 修稿时间： | 2004年11月12 |
1.3μm vertical - cavity surface - emitting laser structure grown by GSMBE |
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| LIU Cheng,WU Hui-Zhen,LAO Yan-Feng,HUANG Zhan-Chao,CAO Meng.1.3μm vertical - cavity surface - emitting laser structure grown by GSMBE[J].Journal of Functional Materials and Devices,2005,11(2):173-177. |
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| Authors: | LIU Cheng WU Hui-Zhen LAO Yan-Feng HUANG Zhan-Chao CAO Meng |
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| Keywords: | VCSEL GSMBE optoelectronic properties |
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