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| 无压惰性气氛银烧结层空洞率影响因素研究 | |
| 作者单位： | ;1.中国电子科技集团公司第五十五研究所;2.扬州国扬电子有限公司 |
| 摘 要： | 在Si C功率模块的封装中,银烧结技术被认为是连接芯片到基板最为合适的技术。裸铜表面无压银烧结技术无需在芯片表面施加压力,降低芯片损伤风险;基板铜层无需贵金属镀层,提高了烧结层的可靠性,降低了材料成本。对裸铜表面无压银烧结技术展开研究,对于6.3 mm×6.3 mm及以下面积的芯片得到了空洞情况良好的烧结层。对影响烧结层空洞率的因素进行了研究,分析了芯片面积、烧结温度曲线、抽真空步骤和贴片质量对烧结层空洞率的影响。 |
| 关 键 词： | 银烧结技术 裸铜基板 无压烧结 空洞率 封装 |
The Research of Factors Affecting Void Ratio in Pressureless Silver Sintering Layer |
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