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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
InSb磁敏传感器及其应用(上)
作者姓名:
王文生
作者单位:
天津大学电子信息工程学院电子系 300072
摘 要:
InSb是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,与其它半导体材料相比,具有较高的电子迁移率。因此,它不但适合制作霍尔器件和传感器,而且适合于制造磁敏电阻和传感器。本文简要介绍了InSb材料的特点,磁敏感效应,各种霍尔器件、磁敏电阻和传感器的性能、结构、工作原理以及典型的应用。
关 键 词:
霍尔器件 锑化铟 磁敏传感器
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