| GaAs基大功率激光器静电失效现象的研究 |
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| 引用本文： | 黄欣竹,崔碧峰,郭伟玲,李莎,孔真真,房天啸,郝帅. GaAs基大功率激光器静电失效现象的研究[J]. 激光与红外, 2017, 47(6): 698-702 |
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| 作者姓名： | 黄欣竹 崔碧峰 郭伟玲 李莎 孔真真 房天啸 郝帅 |
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| 作者单位： | 北京工业大学光电子实验室,北京 100022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(No.11204009);北京市自然科学基金项目(No.4142005)；北京市教委能力提升项目(No.PXM2016_014204_500026)资助 |
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| 摘 要： | 为了判别大功率半导体激光器是否为静电损毁失效,对大功率半导体激光器进行了静电损毁机制的研究。通过测量和表征大功率半导体激光器静电损毁现象,为判别其失效提供有效判据。首先,对GaAs基980 nm大功率半导体激光器(HPLD)分别施加了-200 V,-600 V,-800 V,-1200 V以及+5000 V的静电打击(ESD),每次打击后,测量样品电学参数和光学参数。其次,对打击后的器件进行腐蚀并显微观察其打击后损伤现象。反相ESD后,半导体激光器I-V曲线有明显的软击穿现象,在反向4 V电压下反向1200 V静电打击后漏电为打击的5883854.92倍。正向5000 V静电打击后器件没有明显的软击穿现象,且功率下降很小。在反向ESD后器件腐蚀金电极后表面有明显熔毁现象,正向静电打击后则没有此现象。通过正向静电打击和反向静电打击下器件反应的不同I-V特性和损伤表征,推测正向瞬时大电压大电流下,器件的I-V特性无明显变化,而反向大电压大电流打击会导致I-V曲线出现明显软击穿,功率下降和表面熔毁现象,为判别静电损毁提出了有效判据。
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| 关 键 词： | 大功率半导体激光器 静电 I-V特性 光输出功率 |
Study on static electric shoke failure of GaAs based high power laser |
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| HUANG Xin-zhu,CUI Bi-feng,GUO Wei-ling,LI Sh,KONG Zhen-zhen,FANG Tian-xiao,HAO Shuai. Study on static electric shoke failure of GaAs based high power laser[J]. Laser & Infrared, 2017, 47(6): 698-702 |
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| Authors: | HUANG Xin-zhu CUI Bi-feng GUO Wei-ling LI Sh KONG Zhen-zhen FANG Tian-xiao HAO Shuai |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Optoelectronics Technology,Ministry of Education,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HPLD electrostatic I-V characteristics optical output power |
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