| 硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究 |
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| 引用本文： | 张仁刚,卓雯,王登京,陈克亮,徐千山.硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究[J].电子元件与材料,2013(5):23-25. |
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| 作者姓名： | 张仁刚 卓雯 王登京 陈克亮 徐千山 |
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| 作者单位： | 武汉科技大学应用物理系 |
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| 基金项目： | 湖北省教育厅科研计划重点资助项目(No.D20121109);武汉科技大学绿色制造与节能减排科技研究中心开放基金资助项目(No.B1220) |
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| 摘 要： | 采用直流反应磁控溅射法,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、UV-VIS分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)对样品进行了表征。结果表明:ZnO经0.5 h硫化就能全部生成ZnS,适当提高硫化时间可改善ZnS的结晶性,但硫化时间超过2 h后,结晶性会有所降低;所有制得ZnS薄膜都沿c轴择优生长,其晶粒明显比ZnO更大。此外,这些ZnS薄膜在500~1 100nm波长范围内的光透过率均高达约75%,带隙为3.65~3.70 eV。
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| 关 键 词： | 半导体 ZnS薄膜 磁控溅射 硫化 六方 光透过率 |
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