| 一个新的单异质结InGaP/GaAs HBT模型 |
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| 引用本文： | 刘军,孙玲玲. 一个新的单异质结InGaP/GaAs HBT模型[J]. 微波学报, 2006, 22(3): 40-44 |
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| 作者姓名： | 刘军 孙玲玲 |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州,310018 |
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| 基金项目： | 国防科技重点实验室基金(No.51491010105DZ0401)，浙江省重大国际合作项目(No.2004C14004)资助课题 |
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| 摘 要： | 对VB IC B JT模型用于Ⅲ-V族化合物HBT器件建模的可行性进行了讨论和借鉴,结合UCSD HBT模型优点,提出一个新的可精确用于单异质结InGaP/GaAsHBT模型,并用于该类器件建模。测量和模型仿真I-V特性及多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明,DC~20GHz频率范围内,新模型可对单、多指InGaP/GaAs HBT器件交流小信号特性进行精确表征。运用所建模型准确的预见了一宽带放大器性能。
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| 关 键 词： | VBIC模型 UCSD模型 InGaP/GaAsHBT模型 宽带放大器 |
| 文章编号： | 1005-6122(2006)03-0040-05 |
| 修稿时间： | 2005-01-26 |
A New Single-heterojunction InGaP/GaAs HBT Model |
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| LIU Jun,SUN Ling-ling. A New Single-heterojunction InGaP/GaAs HBT Model[J]. Journal of Microwaves, 2006, 22(3): 40-44 |
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| Authors: | LIU Jun SUN Ling-ling |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | VBIC model UCSD model InGaP/GaAs HBT model Broadband amplifier |
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