| InGaAs中Be离子注入的研究 |
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| 引用本文： | 张永刚,富小妹,潘慧珍,陈如意,张荟星. InGaAs中Be离子注入的研究[J]. 半导体学报, 1988, 9(3): 328-331 |
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| 作者姓名： | 张永刚 富小妹 潘慧珍 陈如意 张荟星 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 上海(张永刚，富小妹，潘慧珍)，北京师范大学低能物理研究所 北京(陈如意)，北京师范大学低能物理研究所 北京(张荟星) |
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| 摘 要： | 本文研究了 InGaAs外延层中的Be~+注入,采用SIMS、电化学C-V和Hall等方法进行了测试分析,结果表明:采用低于700℃的近似包封变温热退火可以获得较高的电激活率和表面质量,形成的pn结具有高击穿电压和低漏电流,此方法已应用于单片集成 InGaA_s PIN-JFET光接收器件的制作,获得了良好的器件特性.
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| 关 键 词： | 离子注入 铍 铟镓砷半导体 光电子集成电路 |
Research on the Ion implantation of Be into InGaAs |
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| Zhang Yonggang/. Research on the Ion implantation of Be into InGaAs[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 328-331 |
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| Authors: | Zhang Yonggang/ |
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| Affiliation: | Zhang Yonggang/Shanghai Institute of Metallurgy,Academia Sinica,ShanghaiFu Xiaomei/Shanghai Institute of Metallurgy,Academia Sinica,ShanghaiPan Huizhen/Shanghai Institute of Metallurgy,Academia Sinica,ShanghaiChen Ruyi/Institute of Low Energy Physics,Beijing Normal University,BeijingZhang Huixing/Institute of Low Energy Physics,Beijing Normal University,Beijing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ion implantation Beryllium InGaAs alloy semiconductor Optoelectronic integrated circuit |
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