| CdSe单晶的正电子寿命研究 |
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| 引用本文： | 任锐,赵北君,朱世富,何知宇,罗政纯,李艺星,温才. CdSe单晶的正电子寿命研究[J]. 四川大学学报(工程科学版), 2004, 36(6): 59-61,65 |
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| 作者姓名： | 任锐 赵北君 朱世富 何知宇 罗政纯 李艺星 温才 |
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| 作者单位： | 四川大学,材料科学系,四川,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家863计划资助项目(2002AA5030) |
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| 摘 要： | 利用正电子湮没方法对CdSe单晶中的缺陷进行了研究，通过对不同温度下退火样品正电子湮没寿命的测试分析，表明：在CdSe晶体中存在的点缺陷主要是占优势的镉空位。由正电子湮没寿命和退火温度的关系，研究了硒化镉单晶退火时空位的迁移、合并及消失情况，确定出能减小生长中形成的空位性缺陷浓度并获得较为完整的晶格的最佳退火温度范围为650～800℃。
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| 关 键 词： | CdSe 晶体缺陷 正电子 湮没寿命 退火 |
| 文章编号： | 1009-3087(2004)06-0059-03 |
Studies of the Positron Annihilation Lifetime in CdSe Crystal |
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| REN Rui,ZHAO Bei-jun,ZHU Shi-fu,HE Zhi-yu,LUO Zheng-chun,LI Yi-xing,WEN Cai. Studies of the Positron Annihilation Lifetime in CdSe Crystal[J]. Journal of Sichuan University (Engineering Science Edition), 2004, 36(6): 59-61,65 |
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| Authors: | REN Rui ZHAO Bei-jun ZHU Shi-fu HE Zhi-yu LUO Zheng-chun LI Yi-xing WEN Cai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CdSe crystal defects positron annihilation lifetime anneal |
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