| 深亚微米p+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用 |
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| 引用本文： | 韩晓亮,郝跃,刘红侠.深亚微米p+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用[J].半导体学报,2005,26(1):84-87. |
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| 作者姓名： | 韩晓亮 郝跃 刘红侠 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所 西安710071
(韩晓亮，郝跃)，西安电子科技大学微电子研究所 西安710071(刘红侠) |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 研究了p+栅pMOSFET中的NBTI效应．通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化，研究了氮化栅氧中氮对NBTI效应的作用，并给出了栅氧中的氮对NBTI效应影响的可能机制，即栅氧中氮形成的Si—N键不易被分解，但栅氧中的氮提供了H＋的陷阱中心，导致NBTI效应中氧化层正固定电荷的增加，其总体效果表现为氮对NBTI效应退化影响的增加．
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| 关 键 词： | NBTI效应 氮化栅氧 界面态 氧化层正固定电荷 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)01-0084-04 |
| 修稿时间： | 2003年11月16日 |
NBTI Effects of p+ Gate pMOSFET and Influence of Nitrogen on NBTI Effects |
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| Han Xiaoliang,Hao Yue,and Liu Hongxia.NBTI Effects of p+ Gate pMOSFET and Influence of Nitrogen on NBTI Effects[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(1):84-87. |
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| Authors: | Han Xiaoliang Hao Yue and Liu Hongxia |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | NBTI effects SiON interface trap fixed oxide positive charge |
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