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| 纳米硅量子线的平均直径和气压的依赖关系 | |
| 作者姓名： | 张洪洲 白志刚 丁() 杭青岭 俞大鹏 冯孙齐 |
| 作者单位： | 北京大学电子光学及电子显微镜实验室,北京,100871;北京大学物理系介观物理国家重点实验室,北京,100871 |
| 摘 要： | 近几年来，纳米半导体材料的研究吸引了材料及物理学家的浓厚兴趣。纳米硅量子线的成功合成［１，２］使得对低维纳米半导体材料的物理性质的研究成为可能。本文提供了一种控制纳米硅量子线平均直径的方法，同时研究了不同气压下得到的纳米硅量子线的一些特殊形态。在本实... |
| 关 键 词： | 纳米半导体 平均直径 气压 硅 量子线 |
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