| 量子阱半导体光放大器的增益偏振相关性研究 |
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| 引用本文： | 黄黎蓉,黄德修,刘德明.量子阱半导体光放大器的增益偏振相关性研究[J].光通信研究,2006,32(4):68-70. |
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| 作者姓名： | 黄黎蓉 黄德修 刘德明 |
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| 作者单位： | 华中科技大学,武汉光电国家实验室,湖北,武汉,430074;华中科技大学,光电子科学与工程学院,湖北,武汉,430074;华中科技大学,武汉光电国家实验室,湖北,武汉,430074;华中科技大学,光电子科学与工程学院,湖北,武汉,430074 |
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| 摘 要： | 应用能带计算理论,研究了张应变量大小、量子阱厚度对量子阱半导体光放大器(SOA)中的增益偏振相关性的影响.采用张应变量子阱为有源区,设计了增益偏振无关的1.55 μm的SOA,它可以在较宽的载流子浓度范围、较宽的光波长范围内满足增益对偏振的不灵敏要求.另外,还采用混合应变量子阱为有源区,设计了增益偏振无关的1.31μm的SOA.
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| 关 键 词： | 半导体光放大器 增益 量子阱 应变 |
| 文章编号： | 1005-8788(2006)04-0068-03 |
| 收稿时间： | 2006-01-05 |
| 修稿时间： | 2006年1月5日 |
Study on gain polarization sensitivity of quantum-well semiconductor optical amplifier |
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| Huang Lirong,Huang Dexiu,Liu Deming.Study on gain polarization sensitivity of quantum-well semiconductor optical amplifier[J].Study on Optical Communications,2006,32(4):68-70. |
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| Authors: | Huang Lirong Huang Dexiu Liu Deming |
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| Abstract: | Based on energyband engineering theory, the influences of tensile strain and quantum-well width on the gain polarization dependence of quantum-well Semiconductor Optical Amplifiers (SOA) are investigated. A 1.55μm gain polarization-insensitive SOA with tensile strained quantum-well as the active region is designed, which has very low polarization sensitivity in a wide range of carrier density and optical wavelengths. Also designed is a 1.31μm gain polarization-insensitive SOA with mixed tensile and compressively strained wells as the active region. |
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| Keywords: | Semiconductor Optical Amplifier(SOA) gain quantum well strain |
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