|
|||||
|
|
| 红外超优质HgCdTe等温生长改进法 | |
| 作者姓名： | 昭华 |
| 摘 要： | 用等温生长法在CdTe衬底上生长的Hg_(1-x)Cd_xTe外延层具有镜面状表面形态、径向组分均匀度高和突出的电子特性(即x接近0.15的电子迁移率数值为500000厘米~2/伏-秒)。生长法的新特点是利用富碲HgCdTe而不是以前采用的HgTe(或化学计量Hg_(1-x)Cd_xTe)作源材料。改变源材料组分和生长温度就可得到所要求的x值。利用热管来达到高精度控温以及使液体(源)和气相中的对流减到最小。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |