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离子注入高频高速GaAs集成电路技术
引用本文:D.R.Ch'en,F.H.Eisen,关久辉.离子注入高频高速GaAs集成电路技术[J].微纳电子技术,1981(6).
作者姓名:D.R.Ch'en  F.H.Eisen  关久辉
摘    要:本文评述了n型掺杂的GaAs离子注入技术,重点是器件的应用,讨论了半绝缘GaAs衬底的选择和注入后的退火技术。描述了一种用于高频高速器件的重复性极好、成本低的离子注入加工技术。讨论了这种加工技术向高速GaAs数字集成电路和单片微波集成电路方面的发展情况,并着重介绍最终能生产大规模集成电路的小功率电路的设计思想。

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