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制备过程中对VO2薄膜热致相变光电性能的控制
引用本文:卢勇,林理彬,邹萍,何捷,王鹏. 制备过程中对VO2薄膜热致相变光电性能的控制[J]. 激光杂志, 2000, 21(5): 19-21
作者姓名:卢勇  林理彬  邹萍  何捷  王鹏
作者单位:[1]四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室,成都 [2]四川大学物理系四川大学分板测试,成都
摘    要:本文利用真空还原V2O5的方法制备出优质对VO2薄膜;研究了不同真空还原时间VO2薄膜热致相变过程中光电性能的影响;利用XPS、XRD对薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究。制备的薄膜高/低 电阻变化最大达到三个数量级,900nm处的光学透过率在相变前后改变了40%左右,热致相变性能优良。讨论了不同的真空还原时间下VO2薄膜热滞回线的宽度、相变温度点以及高低温光透射性能。最后给出了最佳真空还原时间。

关 键 词:VO2薄膜 热致相变 光电性能 制备过程

Control the optical and electrical properties of VO2 thin films during preparation process
Lu Yong,Lin Libin,Zou Pin,He Jie,Wang Peng. Control the optical and electrical properties of VO2 thin films during preparation process[J]. Laser Journal, 2000, 21(5): 19-21
Authors:Lu Yong  Lin Libin  Zou Pin  He Jie  Wang Peng
Abstract:
Keywords:
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