离子束抛光硅片纳米级微观形貌的原子力显微镜研究 |
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作者姓名: | 褚家如 黄文浩 洪义麟 付绍军 |
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作者单位: | 中国科学技术大学精密机械系,中国科学技术大学国家同步幅射实验室 |
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摘 要: | 本文报道了用原子力显微镜(AFM)研究多种Ar ̄+离子抛光参数Si(lll)表面的微观粗糙度和三维微观形貌特征,发现用离子束抛光方法可以显著地改善硅片表面的微观粗糙度,抛光效果与离子束能量、束流强度、抛光时间和束流入射角度等有关。用400eV离子能量、100mA束流强度、60°入射角离子束照射2小时后再改用350eV、80mA束流强度以同样入射角照射2小时的样品,在1μm×1μm范围表面微观粗糙度(RMS)值可达到0.3nm左右。而当小入射角(<20°)照射时抛光效果很差,其表面明显地呈现出直径约几十到几百nm凹坑的蜂巢状形貌特征。
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关 键 词: | 原子力显微镜 微粗糙度测量 硅片 离子束抛光 |
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