| ZnO基电阻存储材料的研究与进展 |
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| 引用本文： | 李争,卢静,尹桂林,何丹农. ZnO基电阻存储材料的研究与进展[J]. 材料导报, 2014, 28(23): 104-107,117 |
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| 作者姓名： | 李争 卢静 尹桂林 何丹农 |
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| 作者单位： | 1. 上海交通大学材料科学与工程学院,上海200240;纳米技术及应用国家工程研究中心,上海200241
2. 纳米技术及应用国家工程研究中心,上海,200241 |
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| 基金项目： | 上海市自然科学基金项目 |
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| 摘 要： | 在电阻存储技术的快速发展中,电阻存储材料是其发展的关键基础。因此探索新型、高效、环保的电阻存储材料是推进电阻存储技术发展的研究热点。ZnO自身具备优异的光学特性,结合可调控的电学、磁学特性,被誉为最有应用潜力的电阻存储材料。扼要介绍了ZnO基电阻存储材料的研究概况,结合大数据时代信息存储的背景回顾了ZnO基存储材料的研究进展、物理机制,对以往的研究工作进行了归纳与总结,并阐述了未来的发展趋势。
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| 关 键 词： | 电阻存储器 电阻开关效应 ZnO基材料 |
Recent Progress in Resistance Memory of ZnO Based Materials |
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| LI Zheng,LU Jing,YIN Guilin,HE Dannong. Recent Progress in Resistance Memory of ZnO Based Materials[J]. Materials Review, 2014, 28(23): 104-107,117 |
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| Authors: | LI Zheng LU Jing YIN Guilin HE Dannong |
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| Affiliation: | LI Zheng;LU Jing;YIN Guilin;HE Dannong;School of Materials Science and Engineering,Shanghai Jiao Tong University;National Engineering Research Center for Nanotechnology; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | resistance memristor resistive switching effect ZnO-based materials |
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