| 远场单瓣梯形沟道衬底内条形半导体激光器列阵 |
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| 引用本文： | 赵方海,杜国同,张晓波,高鼎三. 远场单瓣梯形沟道衬底内条形半导体激光器列阵[J]. 半导体学报, 1990, 11(1): 77-80 |
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| 作者姓名： | 赵方海 杜国同 张晓波 高鼎三 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学系 长春(赵方海，杜国同，张晓波)，吉林大学电子科学系 长春(高鼎三) |
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| 摘 要： | 设计研制了一种可一次液相外延制备的新结构列阵──梯形沟道衬底内条形半导体激光锁相列阵。直流工作器件和脉冲工作器件的单面输出功率分别大于76mW和675mW。器件的远场单瓣半角宽度仅为2.4°。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 梯形 沟道衬底 列阵 |
Single-Lobe Phase-Locked Trapezoidal Channel Substrate Inner Stripe Semiconductor Laser Array |
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| ZHAO Fanghai/. Single-Lobe Phase-Locked Trapezoidal Channel Substrate Inner Stripe Semiconductor Laser Array[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1990, 11(1): 77-80 |
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| Authors: | ZHAO Fanghai/ |
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| Affiliation: | ZHAO Fanghai/Department of Electronics Science,Iilin Univetsity,ChangchunDU Guotong/Department of Electronics Science,Iilin Univetsity,ChangchunZHANG Xiaobo/Department of Electronics Science,Iilin Univetsity,ChangchunGAO Dingsan/Department of Electronics Science,Iilin Univetsity,Changchun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Trapezoidal channel substrate Inner stripe Single-step liquid phase epitaxy Array |
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