基于共享缓存的三维片上网络的功耗建模及分析

片上网络是为应对未来片上通信架构各种挑战而提出的一种新型解决方案。三维芯片技术相对于二维结构可以实现更高的集成度,更优越的性能,如混合集成和低延时。用于垂直互联的硅通孔技术,可以降低水平长互联线的长度,进而实现低延时、低功耗。本文根据具体的硅通孔的电容模型建立了三维网状片上网络的功耗模型。该模型可用于片上网络设计早期阶段的评估,实现快速的功耗预测。本文根据具体的尺寸信息选择了两种三维网状片上网络结构,分别具有一层和两层存储单元。仿真结果表明,在注入率为0.35的情况下,两种三维网状片上网络与传统的二维网状片上网络相比,功耗分别降低了14%和26.96%。