含C、Ge的Fe-Si-Mn基热电材料的电学性能 |
| |
引用本文: | 李伟文,赵新兵,邬震泰,曹高劭.含C、Ge的Fe-Si-Mn基热电材料的电学性能[J].功能材料,2003,34(3):306-307,310. |
| |
作者姓名: | 李伟文 赵新兵 邬震泰 曹高劭 |
| |
作者单位: | 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(59971044) |
| |
摘 要: | 对掺C和Ge的Fe—Si—Mn基热电材料的电学性能研究表明,相对于未掺的Fe—Si—Mn基热电材料,掺C样品的电阻率降低,但热电动势率增加。掺Ge样品的电阻率有所升高,但热电动势率增加更快,因此掺C、Ge样品有较高的功率因子,比未掺样品提高近1倍。
|
关 键 词: | 半导体热电材料 电学性能 掺杂 Fe-Si-Mn 电阻率 热电动势率 |
文章编号: | 1001-9731(2003)03-0306-02 |
Transport properties of Fe-Si-Mn based thermoelectric alloys doped with carbon, germanium |
| |
Abstract: | |
| |
Keywords: | thermoelectric materials FeSi_2 transport property doping |
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录! |