| 关于超大规模集成电路制造中的应力迁移问题 |
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| 引用本文： | 郭佳惠,祝六花. 关于超大规模集成电路制造中的应力迁移问题[J]. 电子器件, 2000, 23(4): 262-266 |
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| 作者姓名： | 郭佳惠 祝六花 |
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| 作者单位： | 华越微电子有限公司 浙江绍兴市 312016 |
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| 摘 要： | 应力迁移是影响集成电路（ＩＣ）金属配线可靠性的缺陷之一。它缘起于绝缘膜与金属配线之间的热应力。本文概要介绍两种性质的绝缘膜产生的两种应力缺陷以及检测方式，并分类说明金属膜厚、线宽温度等与应力的关系。简要说明应力迁移产生的可能机理及目前采取的几种对策。
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| 关 键 词： | 应力迁移 金属配线 ULSI 集成电路 制造 |
| 文章编号： | 1005-9490(2000)04-262-05 |
| 修稿时间： | 2000-02-02 |
The Problem About Stress Migration in the VLSI Manufacture |
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| GUO Jia Hei,ZHU Liu hua. The Problem About Stress Migration in the VLSI Manufacture[J]. Journal of Electron Devices, 2000, 23(4): 262-266 |
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| Authors: | GUO Jia Hei ZHU Liu hua |
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| Affiliation: | Hua Yue MicroElectron LTD Zhejiang Shaoxing 312016 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | stree migration Compressive stress tensile stress slit void |
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