| B靶溅射功率对FeGaB薄膜磁性能的影响 |
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| 引用本文： | 任绥民,刘颖力.B靶溅射功率对FeGaB薄膜磁性能的影响[J].磁性材料及器件,2021,52(4):12-15. |
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| 作者姓名： | 任绥民 刘颖力 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都 610054 |
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| 摘 要： | 采用磁控共溅射法制备FeGaB合金薄膜,FeGa靶的溅射功率为40 W,通过调整B靶的溅射功率来调控薄膜的成分.结果表明,制备出的FeGaB薄膜厚度均匀,呈非晶态,具有较小的矫顽力和较大的磁致伸缩系数.当B靶的射频溅射功率大于30 W时,薄膜的矫顽力Hc降低到2.1 Oe左右.B靶溅射功率增大时,B元素的含量增大,FeGaB薄膜的磁致伸缩系数先增大后减小.当溅射功率为40 W时、B元素含量为11.9％,FeGaB薄膜的磁致伸缩系数达到64 ppm.
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| 关 键 词： | FeGaB薄膜 磁控溅射 B靶溅射功率 矫顽力 |
Effect of B target sputtering power on the magnetic properties of FeGaB thin films |
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| REN Sui-min,LIU Ying-li.Effect of B target sputtering power on the magnetic properties of FeGaB thin films[J].Journal of Magnetic Materials and Devices,2021,52(4):12-15. |
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| Authors: | REN Sui-min LIU Ying-li |
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