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| 硅栅CMOS倒阱工艺研究 | |
| 作者姓名： | 刘显明 郑宜钧 |
| 作者单位： | 中国华晶电子集团公司中央研究所，中国华晶电子集团公司中央研究所，中国华晶电子集团公司中央研究所 无锡 214061，无锡 214061，无锡 214061 |
| 摘 要： | 我们从八十年代中期研究的一种倒阱工艺,采用高能注阱,使杂质峰位于阱内,形成载流子减速场,有利于克服常规工艺的自锁效应。阱深可由6～7μm降为2μm左右,能克服常规工艺的许多局限性,工艺简单,省掉高温推阱工艺,有利于大圆片低温工艺实现。 |
| 关 键 词： | 硅栅 CMOS 倒阱工艺 |
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