| 钼离子注入硅薄层硅化钼的合成 |
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| 引用本文： | 张通和,吴瑜光. 钼离子注入硅薄层硅化钼的合成[J]. 核技术, 2000, 23(9): 599-603 |
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| 作者姓名： | 张通和 吴瑜光 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所教育部射线束材料工程开放实验室北京 100875 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，，59501004，， |
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| 摘 要： | 用大束流密度的钼金属离子注入硅，能够直接合成性能良好的薄层硅化物。随着束流密度的增加，硅化钼生长，薄层硅化物的方块电阻Ｒｓ明显下降，当束流密度为０．５Ａ／ｍ＾２时，Ｒｓ达到上值９０Ω，说明连续的硅化物已经形成。Ｘ衍射分析结果表明，注入层中形成了３种硅化钼Ｍｏ３Ｓｉ、Ｍｏ５Ｓｉ３和ＭｏＳｉ２。经过９００℃退火后，Ｒｓ下降至４Ω，电阻率可小到０．１６μΩ．ｍ，说明硅化钼薄层质量得到了进一步的改善。大束
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| 关 键 词： | 钼离子注入硅 硅化钼 制备 超大规模集成电路 |
| 修稿时间： | 1998-11-10 |
Synthesis of thin layer Mo silicides by means of Mo implantation |
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| ZHANG Tonghe,WU Yuguang. Synthesis of thin layer Mo silicides by means of Mo implantation[J]. Nuclear Techniques, 2000, 23(9): 599-603 |
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| Authors: | ZHANG Tonghe WU Yuguang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Mo ion implantation Implanted silicon Silicide synthesis Rapid thermal annealing Large ion flux |
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