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单片集成的高频宽带LC VCO设计
引用本文:李明剑,万天才,刘永光. 单片集成的高频宽带LC VCO设计[J]. 微电子学, 2007, 37(6): 794-797
作者姓名:李明剑  万天才  刘永光
作者单位:1. 重庆西南集成电路设计有限公司,重庆,400060
2. 重庆西南集成电路设计有限公司,重庆 400060;模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060
摘    要:设计了一款1.9~4.3 GHz的单片集成宽带VCO。采用三个低相位噪声LC VCO在频率上互相重叠的架构实现高频宽带特性,VCO内部集成中间抽头的差分电感。电路制造采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺技术,VCO的工作频率达1.9~4.3 GHz,单元功耗仅为4 mA。在工作频率为2.46 GHz处,经过÷2分频器输出的相位噪声实测值为-97 dBc/Hz(100 kHz频偏下)。

关 键 词:宽带  锁相环  LC谐振腔  相位噪声
文章编号:1004-3365(2007)06-0794-04
收稿时间:2007-09-30
修稿时间:2007-10-20

A Monolithic 2.4 GHz High Frequency Wide Tuning Range LC VCO
LI Ming-jian,WAN Tian-cai,LIU Yong-guang. A Monolithic 2.4 GHz High Frequency Wide Tuning Range LC VCO[J]. Microelectronics, 2007, 37(6): 794-797
Authors:LI Ming-jian  WAN Tian-cai  LIU Yong-guang
Abstract:
Keywords:VCO
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