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| 在8千兆赫下输出0.7瓦的砷化镓场效应晶体管 | |
| 引用本文： | 为民.在8千兆赫下输出0.7瓦的砷化镓场效应晶体管[J].微纳电子技术,1975(4). |
| 作者姓名： | 为民 |
| 摘 要： | 据《Microwaves》杂志报导,1974年在华盛顿召开的电子器件会议上,日本富士通实验室报告了大功率场效应晶体管的研制工作。器件在6伏和45％的效率下,输出功率为0.7瓦,在微带测试电路中,在8千兆赫下,测得最大可用增益为9.3分贝。按每倍频程下降6分贝,由此外推f_(max)为23千兆赫,单向增益为12.7分贝,最大稳定增益为13.7分贝。该器件为梳状源栅金属化结构,由52个肖特基势垒栅并联组成。器件用外延砷化镓 |
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