一种基于GaN的0.5-4GHz高效率宽带功率放大器设计 |
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作者姓名: | 邱俊杰 李武 |
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作者单位: | 宁波大学信息科学与工程学院 |
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基金项目: | 国家重点研发计划(2018YFB1802100);;国家自然科学基金(62171242,61801252,U1809203,61631012);;广东省重点领域研发计划(2019B010156004); |
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摘 要: | 宽带大功率微波功率放大器在通信发射机的应用越来越多,具有高击穿场强和高功率密度的优点的第三代半导体GaN技术越来越适用于宽带功率放大器的应用。本文基于GaN功率管的大信号仿真模型,采用宽带匹配技术进行功率管的匹配电路设计。通过ADS软件仿真和优化,设计了一款工作在0.5-4GHz宽频带范围的功率放大器。仿真结果显示,在0.5-4GHz内,功率附加效率(Power added efficiency, PAE)超过60%,增益大于11dB,增益平坦度为±1.5dB,且端口驻波性能良好,满足了发射机系统的要求。
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关 键 词: | 宽带功率放大器 GaN 宽带匹配电路 PAE |
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