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涡流检测中平板导体的理想裂缝模型
引用本文:幸玲玲,盛剑霓. 涡流检测中平板导体的理想裂缝模型[J]. 中国电机工程学报, 2002, 22(2): 41-46
作者姓名:幸玲玲  盛剑霓
作者单位:1. 南京师范大学,江苏,南京,210042
2. 西安交通大学,陕西,西安,710049
基金项目:国家教委博士点基金(98069821);中日无损评估中心资助项目.
摘    要:将理想裂缝模型从半无限大导体推广到有限厚平板导体情况,使体积积分方程法推进至实用化阶段。将传统的阻抗分析法改进为场量分析法,推导出了场点和源点位于同一区域和位于不同区域时的并矢格林函数,解决了求解等效是流偶极子分布时的积分奇点问题,并且将积分方程法的计算结果与FEM-BEM组合法的计算结果进行了对比,表明有限厚平板导体中理想裂缝模型的准确性和高效性,为涡流无损检测中缺陷的快速重构奠定了基础。

关 键 词:涡流检测 平板导体 理想裂缝模型 电力强度 磁场强度
文章编号:0258-8013(2002)02-0041-06
修稿时间:2000-08-21

THE IDEAL CRACK MODEL IN EDDY CURRENT NONDESTRUCTIVE TESTING
Abstract:
Keywords:
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