| HWCVD在玻璃衬底上沉积硅薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 张俊丽,傅杰财,郭小松,刘滨,谢二庆.HWCVD在玻璃衬底上沉积硅薄膜的研究[J].材料导报,2010,24(Z1). |
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| 作者姓名： | 张俊丽 傅杰财 郭小松 刘滨 谢二庆 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 |
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| 基金项目： | 国家基础科学人才培养基金 |
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| 摘 要： | 采用热丝化学气相沉积法在玻璃衬底上沉积硅薄膜,采用扫描电子显微镜、拉曼光谱分析表征样品的形貌和结晶性,较为系统地研究了硅烷浓度、衬底到热丝的距离对硅薄膜生长过程及各种性质的影响,结果表明,较高的衬底温度及较低的硅烷浓度有利于薄膜的结晶.
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| 关 键 词： | 热丝化学气相沉积 硅薄膜 硅烷浓度 衬底与热丝距离 衬底温度 |
Study of the Silicon Film Prepared by HWCVD on Glass Substrate |
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| ZHANG Junli,FU Jiecai,GUO Xiaosong,LIU Bin,XIE Erqing.Study of the Silicon Film Prepared by HWCVD on Glass Substrate[J].Materials Review,2010,24(Z1). |
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| Authors: | ZHANG Junli FU Jiecai GUO Xiaosong LIU Bin XIE Erqing |
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