p-InP作为PEC电池光阴极的表面修饰与背面接触的改进

本文报道了在p-InP/VCl_3-VCl_2-HCl/C光电池中改进p-InP光阴极的研究结果。p-InP光阴极,经表面掺Sn、Ag修饰及形成Cu背面接触后,在阳光下的光电转换效率达18.8％。考查了Ag、Cu等对电极表面修饰的影响。其中,Ag修饰的效果最好,明显地改善了电池的填充因子,使电池的光电转换效率提高约40％。用电化学法制备电极的背面接触试验表明:镀铜层经适当退火处理,同用Au-Zn合金蒸镀制备的欧姆接触相比,光电转换效率可提高28％。由镀Cu层形成的背面接触的作用效果明显。