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| 硼掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究 | |
| 引用本文： | 姚江宏,许京军,张光寅,陈光华.硼掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究[J].半导体学报,1999,20(10):846-850. |
| 作者姓名： | 姚江宏 许京军 张光寅 陈光华 |
| 作者单位： | [1]南开大学物理系 [2]北京工业大学应用物理系 |
| 摘 要： | 采用直流电弧放电方法利用硼碳复合棒成功合成了硼掺杂富勒烯，质谱和Ｘ射线光电谱等分析手段证实我们制备的硼掺杂富勒烯主要是以Ｃ５９Ｂ和Ｃ６９Ｂ形式存在；对硼掺杂富勒烯薄膜样品在４９３Ｋ进行了真空退火，并测量了电导率随温度的变化关系．发现硼掺杂富勒烯膜的电导激活能减小，室温电导率比未掺杂富勒烯膜高三个量级，同时硼掺杂富勒烯膜依然表现出明显的半导体特性 |
| 关 键 词： | 硼 掺杂 富勒烯薄膜 电学性质 |
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