| GaN缓冲层上低温生长AIN单晶薄膜 |
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| 引用本文： | 秦福文 杨大智 等. GaN缓冲层上低温生长AIN单晶薄膜[J]. 半导体光电, 2003, 24(1): 32-36 |
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| 作者姓名： | 秦福文 杨大智 等 |
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| 作者单位： | [1]大连理工大学电气工程与应用电子技术系，辽宁大连116024 [2]大连理工大学材料科学与工程系，辽宁大连116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69976008; |
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| 摘 要： | 采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR－PEMOCVD）技术，在α－Al2O3（0001）（蓝宝石）衬底上，分别以高纯氮气（N2）和三甲基铝（TMAl）为氮源和铝源低温生长氮化铝（AlN）薄膜。利用反射高能电子衍射（RHEED）、原子力显微镜（AFM）和X射线衍射（XRD）等测量样品，研究了AlN缓冲层和氮化镓（GaN）对六方AlN外延层质量的影响，实验表明在GaN缓冲层上能够低温生长出C轴取向的AlN单晶薄膜。
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| 关 键 词： | 低温生长 AIN GaN 氢等离子体清洗 ECR－PEMOCVD |
| 文章编号： | 1001-5868(2003)01-0032-05 |
| 修稿时间： | 2002-10-16 |
Study on AlN Film Grown on GaN Buffer Layer at Low Temperature |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlN GaN hydrogen plasma cleaning nitridation |
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