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非晶态As_(40)S_(60-x)Se_x薄膜光黑化效应的研究
作者姓名:陈光华  李贻杰  张仿清  谢才清  徐晓琴
作者单位:兰州大学(陈光华,李贻杰,张仿清),中国科学院光电技术研究所(谢才清),中国科学院光电技术研究所(徐晓琴)
摘    要:本文主要研究了As_(40)S_(60-x)Se_x系列蒸发薄膜可逆的光黑化效应和光致结构变化,测量了光黑化的程度与样品组分、温度、入射光强及波长等因素的关系。讨论了光黑化现象的起因,认为光黑化效应是由结构无序度的变化引起的,而结构无序度的变化则是由光照后缺陷态的变化引起的。

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