| f_(max)为30.8GHz的超薄Al_2O_3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件(英文) |
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| 引用本文： | 郝跃,岳远征,冯倩,张进城,马晓华,倪金玉. f_(max)为30.8GHz的超薄Al_2O_3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件(英文)[J]. 半导体学报, 2007, 0(11) |
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| 作者姓名： | 郝跃 岳远征 冯倩 张进城 马晓华 倪金玉 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:51327020301)~~ |
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| 摘 要： | 报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaNMOS-HEMT器件栅长1μm,栅宽120μm,栅压为 3.0V时最大饱和输出电流达到720mA/mm,最大跨导达到130mS/mm,开启电压保持在-5.0V,特征频率和最高振荡频率分别为10.1和30.8GHz.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN MOS-HEMT 超薄Al2O3 |
GaN MOS-HEMT Using Ultrathin Al_2O_3 Dielectric with f_(max) of 30.8GHz |
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| Hao Yue,Yue Yuanzheng,Feng Qian,Zhang Jincheng,Ma Xiaohua,and Ni Jinyu. GaN MOS-HEMT Using Ultrathin Al_2O_3 Dielectric with f_(max) of 30.8GHz[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 0(11) |
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| Authors: | Hao Yue Yue Yuanzheng Feng Qian Zhang Jincheng Ma Xiaohua and Ni Jinyu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN MOS-HEMT ultrathin Al2O3 |
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